Разработка и изготовление электронного устройства

Биполярный транзистор 2SD1651 NPN I(C)=5A V(CBO)=1500 B P(D)=60 BT h(FE)=8 в ключевом режиме транзистор должен выдать положительную часть синусоиды. Регулирование частоты 20-400 кгц и тока базы I(B )=0,1 0,25 0,5 А X(L) около 100 Напряжение питания ШИМ 12-24-36,,, V(CB) буду увеличивать от 140 В и далее.